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1、磁珠的等效电路图如何解释?
磁珠等效电路图如下:
其中L0为磁珠的等效电感、R0是磁珠的等效电阻,包括直流电阻和交流电阻两部分,其交流电阻随着频率变化而变化,C0是磁珠的杂散电容。由此可知,磁珠阻抗包括电阻R和电抗X两部分。
在甚低频时(低于1MHz),磁珠交流电阻很小,阻抗由电感的感抗和直流电阻并联而成,由于频率低,感抗wL0很小,因而甚低频时磁珠阻抗很小;
在中低频时(1MHz~几十MHz,不同铁氧体材料不同),磁珠的交流损耗逐渐增大而超过其直流损耗,但总体而言R0依然较小,而随着频率增大,感抗wL0逐渐增大,成为影响磁珠阻抗的主要部分;
在中高频时(几十MHz~几百MHz,不同铁氧体材料不同),磁珠交流损耗迅速增大,R成为影响磁珠阻抗的主要部分,与此同时,容抗1/wC0减小,与继续增大的感抗wL0相互抵消,使电抗X增大速度减缓并开始下降,最终在某个频率(自谐频率)下降为0;
在甚高频时(大于几百MHz),磁珠交流损耗逐渐减小,因而总阻抗减小。
2、如何根据应用来选择阻抗大小?
对于EMI应用,选择的磁珠阻抗应为信号线负载阻抗的2~3倍。为保证信号的完整性,信号对应的阻抗应该根据抑制EMI的需要而尽可能小。
3、铁氧体可以抑制传导干扰吗?辐射干扰吗?
铁氧体可以抑制传导干扰以及辐射干扰。传导干扰被限制在发生电路或导体中,在接近干扰源处串联铁氧体产品可以有效地抑制噪声。对于辐射干扰,则将铁氧体产品放置在IC或容易产生辐射噪声的回路上,铁氧体可以将不需要频段的能量通过发热的方式耗散掉。